AI 晶片需求快速成长，推动台积电积极部署与发展 High-NA EUV 制程
TechNews科技新报
2024年11月18号
作者 Atkinson
2024年11月18号
作者 Atkinson
媒体报导，先前市场消息指出，台积电已经于 2024 年 9 月份从荷兰半导体设备商艾司摩尔 (ASML) 接收首套高数值孔径 (High-NA) 极紫外线 (EUV) 曝光机-EXE:5000。这代表着台积电对这项先进半导体技术不断变化的立场，从一开始持谨慎，到后来全面发展采用，为的就是保持其在竞争激烈的半导体产业中维持领先地位，也因应AI 晶片对先进制程需求的快速成长。
根据外媒 techspot 的报导指出，采用 High-NA EUV 曝光机对于台积电开发 2 纳米以下制程至关重要。因为 High-NA EUV 曝光机将数值孔径从 0.33 增加到 0.55，可以进一步在晶圆上达到更高解析度，且更为精确的图像化作业。而根据台积电的规划，High-NA EUV 曝光机将导入其 A14 节点 ( 1.4 纳米) 的制程当中，而该制程也预计于 2027 年进入量产阶段。
目前，这些先进的曝光机不会立即投入运作，因为在将其整合到大量生产之前，需要进行严格的测试、微调和制程优化。至于，在这些曝光机全面投入运作时，台积电预计将发展到其A10 节点(1 纳米) 的制程，这代表着超越其当前能力的几代技术，此时间表也与台积电发展晶片制程的广泛路线一致。
报导表示，在台积电 2024 年第三季法说会上，财务长黄仁昭概述了该公司的先进制程节点开发计画。表示台积电将在 2026 年更新 N2 制程，这使得更新 N2 制程会有一些准备成本。而随着台积电发展每个先进制程节点，这种准备成本将变得越来越大。
报导强调，每套 High-NA EUV 曝光机的价格约为 3.84 亿美元。尽管如此，台积电在 EUV 曝光机的技术领先地位，预计仍将吸引更多寻求先进晶片制造能力的高阶客户前来下单。这可能会进一步拉大台积电与其竞争对手之间的差距，尤其是韩国三星电子。因为，台积电已经凭借目前标准孔径的 EUV 技术奠定坚实的基础。
其中，台积电在 2019 年正式推出了采用 EUV 制程的 N7+ 节点制程，当时约运作了 10 套标准的 EUV 曝光机。此后，台积电迅速扩大了其 EUV 生产能力，这也使得 EUV 系统销量在 2019 年至 2023 年间成长了十倍。目前，台积电占全球 EUV 曝光机安装数量的 56%。持续将其利用在包括 N5、N3，以及接下来的 N2 节点制程中。
台积电采用 EUV 的方法是系统化，且以客户为中心的。该公司根据新技术创新的成熟度、成本和潜在的客户利益对其进行仔细评估，然后再将其整合到大规模生产中。因此，台积电计划首先导入 High-NA EUV 曝光机用于研发，以开发客户推动创新所需的相关基础设施和图案解决方案，之后再进一步满足客户的相关需求。
【免责声明】
本文章内容仅代表作者个人观点，与馗鼎无关。
内容性、文字阐述和原创性未经本站证实，对本文章及全部或部分内容、真实性、完整性、及时性本站不作任何保证或承诺，仅供读者参考，请自行核实相关内容。
馗鼎纳米科技股份有限公司 Creating Nano Technologies,Inc.
59 Alley 21 Lane 279, Chung Cheng Road, Yung Kang City, Tainan, TAIWAN
TEL:886-6-2323927 FAX:886-6-2013306 URL: http://www.creating-nanotech.com