UA-20935187-3

探索大气等离子的神秘世界,隐藏在高科技背后的等离子技术(原理篇)

探索大气等离子的神秘世界,隐藏在高科技背后的等离子技术(原理篇)
TechNews
2023年04月24日
作者 闳康科技
 
 
大气等离子(或称常压等离子)源于所产生之化学物质、离子和辐射,甚至是电场,对于物质表面的修饰、整体的反应与掺杂皆有显著的影响与效果,使得大气等离子在各种材料的制程、生化或微制造领域皆有诸多的应用。
 
 
(本文出自国立清华大学材料科学工程学系杜正恭教授、赖元泰博士研究员为「科技新航道| 合作专栏」撰文「阻止氮肥破坏生态的救星?大气等离子技术」,介绍大气等离子之应用技术及未来发展趋势。经科技新报修编为上下两篇,此篇为上篇。)
 
 
大气等离子无需固定或密闭式的腔体,受测物品尺寸不受限于腔体大小,且还具多项优点例如设备与操作成本低、操作速度快,可适用于连续式的制程操作,容易与其他的设备相结合而大幅提升生产效率等,目前已是产业界积极研究的题目。利用大气等离子技术的介电质放电等离子制程,可制造出大气等离子活化水,展现在农业育苗技术上的实力,例如将有机废弃物再利用为水溶性氮肥料,开启循环农业的新视野。
 
 
话说从头:等离子是什么?
对于整个宇宙来讲,几乎 99. 9% 以上的物质都是以等离子形态存在,如恒星和行星际空间等都是由等离子体所组成。等离子体可由人工方法产生,如核聚变、核裂变、辉光放电等各种放电方式。
 
 
分子或原子的内部结构主要由电子和原子核组成,电子与原子核之间的关系比较固定,电子以不同的能级存在于核场周围,势能或动能不大,但当物质受到外加能量(例如磁、电、热)作用后,原子中的外层电子势能急速下降,最后脱离核场的束缚而逃逸到远处,即所谓的电离。此时原子变为两个带电荷的粒子,即带负电荷的电子和带正电荷的离子。若所有组成物质的分子或原子被完全电离成离子和电子,就改变了原来的形态,成为物质的第四种形态——等离子。
 
 
等离子态主要由气体在高电、磁场下离子化所形成的集合,其中包括电子、正离子与中性分子。等离子态物质具有极高的活性及能量,连带激发一系列连锁反应,包含离子化、激发、再结合、解离与电荷转移等。利用高能量可裂解气体的特性,等离子制程产生无限的可能性,由于其高能量密度及反应特性,人们开始将等离子应用于各产业当中。
 
 
如何提高等离子在各领域的应用?
等离子处理被应用在多个领域,产生等离子的条件也十分广泛。应用领域、设备费用和气体压力需求,不难发现在半导体、磁介质、建筑玻璃中使用的特种薄膜等制程,需要在设备成本高且高真空的环境下进行,也就是真空等离子的作用领域,不过这仅是等离子表面处理技术应用中的一部分。受到制程费用的限制,在水处理工业、食品加工领域,都对等离子处理望而却步;工业清洁和食品加工方面,也受到真空制程气体压力的限制,无法应用等离子处理。由此可见,若能将等离子处理技术改为于常压环境下即可工作,便能提高应用空间。
 
 
真空等离子与常压等离子之差异
一般真空等离子处理成本高昂、设备复杂,而常压等离子则无需真空腔体及真空系统匹配,常压环境下即可进行,具有更多可能潜在应用,例如水和污水处理领域。另外,常压等离子加工成本低、处理速度快,因此也适合应用在食品加工业上。综上所述,与真空等离子相比,常压等离子处理具有更广泛的应用领域及更突出的应用潜质。
 
 
介电式大气等离子的原理和结构
在大气等离子的设计上,有介电质屏蔽放电(Dielectric Barrier Discharge, DBD)、电晕放电(Corona Discharges)等型式,但由于电晕放电的处理效果弱、且电极容易被破坏,而限制了此技术的拓展,故以下介绍将以DBD 为主。
 
 
介电质放电又称无声放电(Silent Discharge),即两电极之间放入一到两个介电质材料(通常为玻璃、石英或陶瓷),当施予高电压时,等离子会产生于电极与介电质材料、或两个介电质材料之间的缝隙。在两电极之间引入介电层,整个装置将由电容耦合(Capacitive Coupling)的方式进行电路匹配,由于介电层的引入,介质屏蔽放电不能使用直流电源,通常可选择脉冲式直流、射频或微波电源供应。介质屏蔽放电等离子基本,介质屏蔽放电有平板、圆柱状的形式,平板状能够针对大面积材料进行表面改质,圆柱状则能产生较高密度的激发粒子。
 
 
介质屏蔽放电:绝缘、击穿、放电
介质屏蔽放电通常由正弦波型(Sinusoidal)的交流(Alternating Current, AC)高压电源驱动,随着供给电压的升高,系统中反应气体的状态会经历三个阶段的变化,即由绝缘状态( Insulation)逐渐至击穿(Breakdown),到最后发生放电。当供给的电压较低时,有些气体会有一些电离和游离扩散,但因含量太少、电流太小,不足以使反应区内的气体出现等离子反应,此时的电流为零。
 
 
随着供给电压逐渐提高,反应区域中的电子也随之增加,但未达到反应气体的击穿电压(Breakdown Voltage; Avalanche Voltage),此时两电极间的电场较低,无法提供电子足够的能量来让气体分子进行非弹性碰撞,此将导致电子数无法大量增加,因此反应气体仍为绝缘状态,无法产生放电,此时电流随着施加的电压提高略有增加,但几乎为零。
 
 
若继续提高供给电压,当两电极间的电场大到足够使气体分子进行非弹性碰撞时,气体将因为离子化的非弹性碰撞而大量增加,当空间中的电子密度高于临界值(即Paschen击穿电压时),便会产生许多微放电丝(Microdischarge)导通在两极之间,同时系统中可明显观察到发光(Luminous)的现象,此时电流会随着施加的电压提高而迅速增加。
 
 
帕邢定律(Paschen’s Law)
Paschen’s Law 提供气体崩溃电压、放电气体压力及两电极距离的关系:
 
V = APd / ln(Pd)+B ………………………….(1)
 
其中 P 为放电气体压力,d 为电极间距离,A、B 为随气体种类而异的常数。按此式,当 P*d 值变大时,气体崩溃电压与 P*d 值成正比;P*d 值变小时,即会出现一 Vmin 值,低于此 Vmin 值的气体不会发生崩溃。
 
 
介电质屏蔽放电电浆——产生的形式与结构
介质屏蔽放电能在常压和很宽的频率范围内工作,通常工作气压为 1~10 大气压,电源频率可从 50Hz 至 1MHz。如前文提及,介质屏蔽放电的基本结构,有着各式各样的电极设计形式,可针对不同的应用,设计出不同的 DBD 电极结构,来提升等离子处理效率。主要分为三种变形:平板式阵列、圆柱式等离子束、圆柱等离子束阵列。
 
 
1.平板式阵列
一般电极直接与等离子接触,等离子中的高能粒子会对蚀刻电极表面造成电极消耗。为了因应以上问题,开发出介质屏蔽放电等离子产生装置,在两电极之间引入一介电层。由于介电层的引入,可以限制电流的大小,抑制电弧的产生。此外整个装置由电容偶合(Capacitive Coupling)的方式进行电路匹配,因此介质屏蔽放电不能使用直流电源。一般来说会选择使用脉冲式直流、射频亦或微波电源供应方式。
 
 
2.圆柱式电浆束
等离子束为应用广泛的电极设计,此设计可处理各种形式的材料,无论固体或液体都可以利用等离子束处理。等离子束优势在于可以产生高密度的激发粒子,针对表面进行强而有效的等离子处理,同时产生等离子的温度低,以热的形式散出的能量较少。
 
 
3.圆柱等离子束阵列
将等离子束排列成阵列的形式,以提高处理效率。此方法为从水面下方通入空气产生气泡,并在气泡通过电极时在气泡内部点起等离子,最终气泡漂浮至水面,并在漂浮过程中和水完成反应,以避免活性物质逸散在空气中,达到最大的处理效率。
 
 
在实际应用中,圆柱或管式的电极结构被广泛地套用于各种化学反应器,而平板式电极结构则被套用于工业中的板材、粉体的改性、高分子接枝、金属薄膜、表面张力的提高与清洗、亲水改性等方面。
 
 
 
 
常压等离子的优势和研究方向
若能在人类所处的常温常压环境下产生电浆,将会是经济又高效能的技术,可免去诸多维持高真空的系统,如腔体、帮浦等,同时也节省了维护的成本与时间。因无腔体的限制,也相对减少了尺寸的局限,且制程容易进行连续性操作,能大幅提升处理效率。不仅如此,常压等离子友善环境的特点更是得天独厚,只需利用周遭空气便能激发电浆,甚至可分解污染环境的物质,成为无污染性之气体,减少环境问题。
 
 
等离子的产生须有足够的能力来激发反应。在电子吸收电场的能量后,若能量足够,将与碰撞的气体分子产生解离,同时电子数目随之增加,而新生电子将再产生类似之反应,形成连锁反应。然而在压力为一大气压时,气体分子众多以致碰撞相当频繁,此时气体的平均自由程(气体分子有效碰撞之间距)相当小,能量难以累积,以至于等离子难以激发,而解决的方法主要有两种:一、提高外加电源的电位;二、增加通路的电流。这两种思维都是提升输入的能量,而提升能量供应的同时,建立低成本且高效率的常压等离子技术,是学界人士持续致力研究的议题。下篇我们将进一步探讨大气等离子如何发挥实际应用,解决缺「氮」问题,打造环保的永续农业。
 
 
闳康科技推出「声音版的技术文章」,Podcast节目名称为【闳康科技|带您深入科技的世界】,只要在Spotify、KKBOX、Apple Podcasts、Google Podcasts、YouTube 搜寻「闳康」即可找到节目!
 
 
(首图来源:Freepik;文章图片资料来源:闳康科技)
 
 
 
 
【免责声明】
本文章内容仅代表作者个人观点,与馗鼎无关。
内容性、文字阐述和原创性未经本站证实,对本文章及全部或部分内容、真实性、完整性、及时性本站不作任何保证或承诺,仅供读者参考,请自行核实相关内容。
 
 
 
馗鼎纳米科技股份有限公司 Creating Nano Technologies,Inc.
59 Alley 21 Lane 279, Chung Cheng Road, Yung Kang City, Tainan, TAIWAN
TEL:886-6-2323927 FAX:886-6-2013306 URL: http://www.creating-nanotech.com

我们将使用cookie等资讯来优化您的体验,按下同意或继续浏览即表示您同意我们使用。欲了解详细内容,请详阅使用条款&免责声明

我同意