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    2020/01/30
    【產業新聞】追趕台積電,三星砸逾 30 億美元與 ASML 簽訂 20 台 EUV 採購合約

TechNews
2020年01月30日
作者 Atkinson
 

 
根據南韓媒體報導,相關產業人士指出,南韓三星電子已經在 2020 年的 1 月 15 日與半導體設備大廠艾司摩爾(ASML)正式簽約,以 33.8 億美元(約新台幣 1,027.86 億元)採購約 20 台極紫外光(EUV)微影設備,超越 2019 年 10 月三星預計的 15 台 EUV 採購量,顯示三星期望增加投資半導體設備,追趕與晶圓代工龍頭台積電的差距。


報導指出,ASML 預計這些 EUV 設備將在兩年內交貨,三星將用於晶圓代工與下一代 DRAM 生產。三星電子最快在 2020 年底首度採用 EUV 設備生產 DRAM。


為了超越晶圓代工龍頭台積電,三星期望透過擴大投資半導體設備,提供技術競爭力來吸引客戶。之前也有消息指出,三星目前透過價格優勢爭取客戶青睞。三星目前爭取到包括高通、輝達、IBM 和 Sony 下訂單,但台積電全數吃下蘋果 iPhone A 系列處理器及華為海思麒麟處理器訂單,至於處理器大廠 AMD 目前 7 奈米產品,也是全交由台積電協助生產,使三星全球晶圓代工市占率遠遠不及台積電。


之前三星宣布,計劃到 2030 將投資 133 萬億韓圜提升非記憶體的系統半導體業務。根據計畫,總計 133 兆韓圜的投資中,有 73 兆韓圜是用於技術研發,60 兆韓圜建設晶圓廠等設備,預計創造 1.5 萬個就業機會,使三星能在 2030 年時不僅保持記憶體領先,還要在系統半導體領域稱王。

 
而除了在晶圓代工領域,三星還預計將新購的 EUV 設備用在新一代的 DRAM 生產線上。根據報導,三星電子有望從 2020 年底或 2021 年年初開始使用 EUV 設備來生產第 3 代 10 奈米級(1z)DRAM,甚至會開始用於研發第 4 代 10 奈米級(1a)DRAM,導入 EUV 設備後,預計極大化的提高三星的生產率,擴大與競爭對手 SK 海力士(SK Hynix)和美商美光(Micron Technology)等的差距。相對三星即將導入 EUV 設備生產,目前兩家競爭對手都暫時不打算導入 EUV 設備。


根據市場調查與研究單位 TrendForce 的資料指出,三星電子在 2019 年第 4 季以 46.1% 市占率位居全球 DRAM 龍頭,其次是 SK 海力士 28%,美光則以 19.9% 排名第三。美光科技曾經表示,預計導入 EUV 設備的時間,將是用在未來 10 奈米級(1β)之後的 DRAM 生產。SK 海力士也指出,預計將 EUV 設備 2021 年導入第 4 代 10 奈米級(1a)生產。


日前公布 2019 年第 4 季及 2019 年全年財報,其中 2019 年第 4 季完成 8 台 EUV 系統出貨,同時也接獲 9 台 EUV 系統的訂單。另外, 於 2019 年共計接獲 62 億歐元(約新台幣 2,092.5 億元)EUV 系統訂單,雙雙創下史上新高紀錄。

 

 

相關連結:https://technews.tw/2020/01/30/samsung-buy-euv-from-asml/

 

 

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