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    2019/12/24
    【產業新聞】資料中心與 5G 建置需求升高,功率半導體市場將逐步回穩

TechNews
2019年12月24日
作者 拓墣產研
 
 


功率半導體晶圓製造代工大廠漢磊,公布 2019 年第三季營收情形,由於 2019 年前 3 季市場遭遇去庫存及市況不佳等因素影響,第三季營收為 1.24 億美元,年減 21.2%。


面對大環境不佳挑戰,漢磊總經理莊淵棋表示:「2019 年第三季開始,營收表現將谷底反彈,並且隨著功率半導體需求逐季回穩;預計到 2020 年第二季,整體產能利用率有機會回升至九成。」

 


現行功率元件由於成本考量,以矽與碳化矽晶圓並搭配磊晶技術為主流

由於功率半導體所需的操作電壓較大,傳統矽(Si)元件因本身材料特性,崩潰電壓值(Breakdown Voltage)難以承受數百伏特以上,因而元件材料逐漸改由第三代半導體的寬能隙材料(碳化矽 SiC 與氮化鎵 GaN)取代;另一方面,由於晶圓(Substrate)成本與製程條件等考量,矽晶圓無論在尺寸、價格仍較碳化矽與氮化鎵晶圓大且便宜許多,所以為求有效降低晶圓成本,磊晶生成技術此時就變得格外重要。


目前製造功率半導體的主流晶圓,依然以尺寸較大、價格平價的矽晶圓為大宗;而可承受高電壓但尺寸稍小、價格稍貴的碳化矽晶圓則為次要。選定晶圓材料(矽或碳化矽)後,即可透過 MOCVD 或 MBE 機台,成長元件所需碳化矽或氮化鎵磊晶結構;隨後再進行相關半導體前段製程(薄膜、顯影及蝕刻)步驟,最終完成 1 顆功率元件。

 


全球資料中心與 5G 基地台建置需求,引領功率 IDM 廠與代工廠營收動能

根據現行功率半導體發展情形,目前主要以氮化鎵及碳化矽等第三代半導體材料為主。其中,國際 IDM 大廠如英飛凌、科銳(Cree)、II-V 等投入動作最積極,且相關廠商正試圖搶占全球寬能隙材料磊晶生成與晶圓代工等市場。


近期搭上伺服器資料中心與 5G 基地台設備建置需求,預估到 2019 年第四季,國際 IDM 大廠於功率半導體與電源管理晶片等訂單需求將逐步提升,因而帶動底下製造代工廠商相關產能跟著擴張。跟隨此發展趨勢,漢磊為第三代半導體中的製造代工大廠,雖然 2019 年前 3 季營收市場狀況表現略有不佳,但隨著近期 IDM 大廠的逐步轉單挹注,將驅使提升整體產能利用率,對於後續經營發展將有一定程度的助益。


 

 

 

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